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J-GLOBAL ID：200903063265745340
単結晶炭化ケイ素の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992148835
Publication number (International publication number)：1993319998
Application date： May. 15, 1992
Publication date： Dec. 03, 1993
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、欠陥の少ない良質の単結晶を成長させる方法を提供することをその目的とする。【構成】 この発明の単結晶炭化ケイ素の製造方法は、炭化ケイ素からなる原材料4を加熱昇華させ、炭化ケイ素単結晶からなる種結晶2上に供給し、この種結晶2上に炭化ケイ素単結晶6を成長させる方法において、結晶成長用ルツボ3の種結晶2近傍に突起物7を設け、この突起物で結晶を一旦細く絞って成長させ、再び拡大して炭化ケイ素単結晶6を成長させる。
Claim (excerpt)：
炭化ケイ素からなる原材料を加熱昇華させ、炭化ケイ素単結晶からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に炭化ケイ素単結晶を成長させる方法において、結晶を一旦細く絞って成長させ、再び拡大することを特徴とする単結晶炭化ケイ素の製造方法。
IPC (2)：
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