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J-GLOBAL ID：200903063274226053

半導体ウェーハの研磨方法および研磨装置

Inventor： 森田 悦郎 ,  酒井 慎介
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994276005
Publication number (International publication number)：1996112752
Application date： Oct. 13, 1994
Publication date： May. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高平坦度の半導体ウェーハを得る研磨方法、および、そのための研磨装置を提供する。【構成】 研磨液を供給しながら研磨布14を半導体ウェーハ12の表面に押し付けてウェーハ表面を研磨する。研磨中にウェーハの一部表面を研磨布からはみ出させ、はみ出した部分18の温度をサーモグラフ15で直接測定する。測定温度に基づいて例えば研磨液の温度を制御する。研磨中のウェーハ表面の温度を高精度で制御することができ、半導体ウェーハの研磨表面を高平坦度に管理することができる。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ表面に研磨布を押し付けて研磨する半導体ウェーハの研磨方法において、研磨中に上記半導体ウェーハの一部表面を研磨布からはみ出させるとともに、その半導体ウェーハのはみ出した部分の温度を測定し、この測定温度に基づいて研磨布によって研磨される半導体ウェーハの温度を制御する半導体ウェーハの研磨方法。

IPC (3)：

B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-201868
  
• 特開平4-255218
  
• 特開昭60-201868
  
• 特開平4-255218