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J-GLOBAL ID：200903063283462401

縦型構造の電界効果トランジスタ

Inventor： 永田 健一
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 原 謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994207169
Publication number (International publication number)：1996078675
Application date： Aug. 31, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【構成】 第1導電型の基板1に、上記第1導電型と逆の第2導電型であり、チャンネル層を形成するためのP型拡散層6を形成する。P型拡散層6は、基板1の第1面と平行な断面形状が正方形状部と上記正方形状部の各四辺からそれぞれ外方に延びる各長方形状部とからなる十字型パターンに形成されている。【効果】 十字型パターンにより、単位面積当りのチャンネル幅を増加させて、電流容量を増加させることができ、かつ、オン抵抗を低減でき、かつ、コンタクト抵抗を抑制できて寄生バイポーラトランジスタ様の誤動作を低減できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の第1半導体からなる基板が設けられ、基板の両面における一方の表面である第1面に、第1導電型と逆の第2導電型であり、チャンネル層を形成するための第2半導体層が形成され、第2半導体層の表層に、第1導電型であり、ソースを形成するための第3半導体層が、上記第2半導体層の外周に対して所定間隔で、かつ上記外周に沿うように形成され、上記第2半導体層における外周の露出面上に絶縁層を介してゲート電極が設けられている縦型構造の電界効果トランジスタにおいて、上記第2半導体層は、上記第1面と平行な断面形状が正方形状部と上記正方形状部の各四辺からそれぞれ外方に延びる各長方形状部とからなる十字型パターンに形成されていることを特徴とする縦型構造の電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423

FI (3)：

H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/50 U ,  H01L 29/60