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J-GLOBAL ID：200903063331584867

ナノ構造体、その製造方法および磁気デバイス

Inventor： 寺本 洋二 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091952
Publication number (International publication number)：2001278700
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 細孔中にペロブスカイト型酸化物をエピタキシャル成長したナノ構造体を提供する。【解決手段】 ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、少なくとも該細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在するナノ構造体。

Claim (excerpt)：

ペロブスカイト型酸化物表面を有する基体上に絶縁膜を有し、該絶縁膜が表面から基体表面まで達する複数の細孔を有するナノ構造体において、前記細孔中にペロブスカイト型酸化物が存在することを特徴とするナノ構造体。

IPC (6)：

C30B 29/22 ,  C30B 5/00 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6)：

C30B 29/22 Z ,  C30B 5/00 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

F-Term (11)：

4G077AA10 ,  4G077BC11 ,  4G077CA09 ,  4G077ED04 ,  4G077HA03 ,  5D034BA02 ,  5D034BA15 ,  5E049AA10 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049GC01