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J-GLOBAL ID：200903063332055833
液晶表示装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992276102
Publication number (International publication number)：1994130413
Application date： Oct. 14, 1992
Publication date： May. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】 非単結シリコンを用いたアクティブマトリックス方式液晶表示装置の薄膜トランジスタと画素付加容量の特性を安定させ、画面の表示品質を向上する。【構成】 熱酸化工程を二回に分けて行う。一回目の熱酸化終了後、画素付加容量の誘電体膜のみを選択的にエッチング除去する。二回目の熱酸化を行うことにより、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と画素付加容量の誘電体膜がともに形成され、画素付加容量の誘電体膜を選択的に薄膜化することができる。【効果】 膜厚の制御性が良いため、薄膜トランジスタと画素付加容量の特性が安定する。また、MOS界面が清浄に保たれるため、素子の信頼性が高い。
Claim (excerpt)：
非単結晶シリコンを用いたアクティブマトリクス方式液晶表示装置の製造方法において、非単結晶シリコン膜を堆積した後、所定のパターンにエッチングする工程と、一回目の熱酸化をして、酸化膜を形成する工程と、該酸化膜の一部を選択的にエッチング除去する工程と、二回目の熱酸化を行う工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
