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J-GLOBAL ID：200903063345473359

双安定半導体レーザ

Inventor： 小田川 哲史
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991238323
Publication number (International publication number)：1993082885
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】光通信や光ネットワークにおける光信号処理デバイスの一つである光双安定半導体レーザに関し、閾値の増大を抑えて可飽和吸収領域における寿命を小さくすることを目的とする。【構成】キャリアが注入される利得領域A,Bと、該利得領域A,Bに挟まれた可飽和吸収領域Cを有する双安定半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収領域Cにある活性層4は、前記利得領域A,Bにある活性層4よりもドーパント濃度の高い高濃度ドーパント領域4aとなっていることを含み構成する。

Claim (excerpt)：

キャリアが注入される利得領域(A,B)と、該利得領域(A,B)に挟まれた可飽和吸収領域(C)を有する双安定半導体レーザにおいて、前記可飽和吸収領域(C)にある活性層(4)は、前記利得領域(A,B)にある活性層(4)よりもドーパント濃度の高い高濃度ドーパント領域(4a)となっていることを特徴とする双安定半導体レーザ。