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J-GLOBAL ID：200903063349361857
X線マスクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991187631
Publication number (International publication number)：1993036591
Application date： Jul. 26, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 リフトオフ法によるX線吸収体薄膜パタ-ンの形成に際し、マスクを薄く形成し、高精度のX線吸収体薄膜パターンを形成する。【構成】 X線吸収体パターンをリフトオフ法で形成するためのエッチングマスクとしてCr、Cr合金またはCr化合物を用いる。あるいは、Ni、Ni合金またはNi化合物からなるマスクを形成するに際し、酸性溶液を用いた液相エッチング法を用いる。あるいは、Cr、Cr合金またはCr化合物を用い、かつX線吸収体パターン形成後、硝酸第2セリウムアンモニウムを含む溶液で洗浄する。あるいは、炭素膜、グラファイト膜、ダイヤモンドライクカーボン膜あるいはダイヤモンド膜を、エッチングのためのマスク材料として用いる。
Claim (excerpt)：
マスク支持体上にX線透過性薄膜を形成するX線透過性薄膜形成工程と、前記X線透過性薄膜上にCr、Cr合金またはCr化合物からなるマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、この上層にX線吸収体薄膜を形成するX線吸収体薄膜形成工程と、前記マスクパターンをエッチング除去することにより、前記マスクパターン上の前記X線吸収体薄膜を除去し、前記X線吸収体薄膜を所望の形状にパタ-ニングするリフトオフ工程とを含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2)：
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