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J-GLOBAL ID：200903063378912110
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994007457
Publication number (International publication number)：1995211691
Application date： Jan. 27, 1994
Publication date： Aug. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 半絶縁性のGaAs基板に形成したFET用の活性層に対して、FETの所望のしきい値電圧を得るために所定の厚さにウェットエッチングした後、エッチング液を純水により除去する際に、その活性層の厚みを従来より均一にまたは精密に制御できる半導体装置の製造方法を提供する【構成】 FET用の活性層2を所定の厚さにウエットエッチングした後、エッチング液を除去する水洗工程において、GaAs基板1に照射される光の照度の変動幅を一定以下もしくは、光の照度を2ルクス以下に制御することにより活性層2に形成される酸化膜5の膜厚のばらつきを少なくし、もしくはなくし、活性層の膜厚を均一もしくは精密に制御する。
Claim (excerpt)：
半絶縁性のGaAs基板に形成したFET用の活性層に対して、FETの所望のしきい値電圧を得るために所定の厚さにウェットエッチング処理を行った後、エッチング液を純水により除去する際に、水洗槽内の光の照度の変動幅を一定以下に制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/306
, H01L 21/304 341
, H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 21/306 F
, H01L 29/80 F
