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J-GLOBAL ID：200903063379713758

電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置

Inventor：
山中 英雄

About 山中 英雄


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 有吉 教晴 ,  有吉 修一朗
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004151397
Publication number (International publication number)：2005333042
Application date： May. 21, 2004
Publication date： Dec. 02, 2005
Summary：
【課題】 高結晶性単結晶Si若しくは歪みSiの高い電子・正孔移動度を有し、高輝度、高コントラスト、高精細の電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置を提供する。【解決手段】 多孔質Si層(低多孔質Si層11a,高多孔質Si層11b,低多孔質Si層11c)及び単結晶Si層或いは歪印加のSiGe層12を形成した単結晶Siの種子基板10と、透明絶縁層13及び少なくとも画素開口部を有する遮光性金属層を形成した石英ガラス基板30からなる支持基板を貼り合せ、種子基板を高多孔質Si層11bから分離し、単結晶Si層或いは歪印加のSiGe層12の表示領域をエッチングして透明絶縁層13を露出させた後に、Siエピタキシャル成長によって周辺回路領域に高結晶性単結晶Si層或いは歪Si層15、表示領域にポリSi層16を形成する。その後、表示領域のポリSi層に表示素子部と画素開口部を、周辺回路領域の高結晶性単結晶Si層或いは歪Si層にシステムLSIを含むLCD周辺回路部を形成する。【選択図】 図30
Claim (excerpt)：
単結晶半導体からなる種子基板に多孔質半導体層を形成する工程と、 前記種子基板上に前記多孔質半導体層を介して第1の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層を形成する工程と、 ガラス材料からなる支持基板表面の光学研磨ダメージをエッチングして透明絶縁層を形成する工程と、 前記種子基板の第1の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層と前記支持基板の透明絶縁層を貼り合せる工程と、 前記種子基板を前記多孔質半導体層から分離する工程と、 前記多孔質半導体層の分離残りをエッチングし、前記第1の単結晶半導体層若しくは歪み印加の単結晶半導体層の表示領域をエッチングして前記透明絶縁層を露出する工程と、 表示領域に結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層を、周辺回路領域に第2の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層を形成する工程と、 前記表示領域の結晶粒径制御した多結晶半導体層若しくは非晶質半導体層に表示素子部を、前記周辺回路領域の第2の単結晶半導体層若しくは歪み単結晶半導体層に周辺回路部を形成する工程を備える ことを特徴とする電気光学表示装置の製造方法。
IPC (12)：
H01L27/12 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (15)：
H01L27/12 B ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 304B ,  G09F9/30 338 ,  G09F9/30 349C ,  G09F9/30 349Z ,  G09F9/35 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618E ,  H01L21/76 D
F-Term (152)：
2H091FA29Y ,  2H091FB02 ,  2H091FB07 ,  2H091FC01 ,  2H091FC15 ,  2H091FC18 ,  2H091FD04 ,  2H091GA11 ,  2H091GA13 ,  2H091JA10 ,  2H091LA03 ,  2H091LA04 ,  2H091LA17 ,  2H091LA30 ,  2H091MA07 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KB24 ,  2H092KB25 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA28 ,  2H092MA31 ,  2H092NA01 ,  2H092NA21 ,  2H092NA30 ,  2H092PA06 ,  2H092PA07 ,  2H092RA05 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  3K007GA00 ,  5C094AA05 ,  5C094AA10 ,  5C094AA13 ,  5C094AA25 ,  5C094AA31 ,  5C094AA53 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA12 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EB02 ,  5C094EB05 ,  5C094ED01 ,  5C094ED15 ,  5C094GA10 ,  5C094HA10 ,  5F032AA06 ,  5F032AA34 ,  5F032AA45 ,  5F032AA49 ,  5F032BB01 ,  5F032CA09 ,  5F032CA14 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA23 ,  5F032DA01 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA07 ,  5F032DA09 ,  5F032DA12 ,  5F032DA21 ,  5F032DA22 ,  5F032DA23 ,  5F032DA24 ,  5F032DA43 ,  5F032DA67 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74 ,  5F110AA01 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD25 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN55 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP33 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5G435AA02 ,  5G435AA03 ,  5G435AA12 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435BB15 ,  5G435BB17 ,  5G435CC09 ,  5G435EE05 ,  5G435EE13 ,  5G435EE25 ,  5G435EE37 ,  5G435EE41 ,  5G435EE47 ,  5G435FF13 ,  5G435GG02 ,  5G435GG42 ,  5G435HH13 ,  5G435KK05 ,  5G435LL15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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