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J-GLOBAL ID：200903063384832021
半導体スイツチ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991167923
Publication number (International publication number)：1993022098
Application date： Jul. 09, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 運転電圧が低い領域においてもオフ時間が十分に小さい高電圧半導体スイッチを提供する。【構成】 複数の半導体素子(1a〜1n)を直列接続し特定の素子にのみ駆動信号を与え該素子のスイッチングに応じて残りの他の素子が追従してスイッチングするように構成した高電圧半導体スイッチにおいて、入力端子(K)と、直列接続された半導体の中位の位置との間に素子と並列に短絡スイッチ(5)を設けた構成とする。
Claim (excerpt)：
複数の半導体素子を直列接続し特定の素子にのみ駆動信号を与え該素子のスイッチングに応じて残りの他の素子が追従してスイッチングするように構成した高電圧半導体スイッチにおいて、入力端子と、直列接続された半導体の中位の位置との間に素子と並列に短絡スイッチを設けたことを特徴とする半導体スイッチ。
IPC (2)：
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