Pat

J-GLOBAL ID：200903063390770364

分子線発生装置

Inventor： 唐橋 一浩
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992099980
Publication number (International publication number)：1993299196
Application date： Apr. 20, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 中性分子線の発生装置に関し、ソース室の真空排気速度に応じて大きな強度の分子線を発生することを目的とする。【構成】 真空排気されるソース室1と,該ソース室1内に原料ガスを噴出して拡散分子流10を形成するためのノズル7aが開設されたガス筒7と,拡散分子流10の一部を通過させるピンホール6aが設けられたスキマー6と,ピンホール6aを通過した拡散分子流10からなる分子線11を真空装置3に導入するためにソース室1よりも高真空に保持される差圧室2と,ソース室1と差圧室2との間に設けられスキマー6を持着する差圧真空隔壁4とを有してなる分子線発生装置において,差圧真空隔壁4の差圧室2側の壁面に密着して冷媒槽12を付設し,差圧真空隔壁4及びスキマー6を冷媒槽12からの熱伝導により冷却するように構成する。

Claim (excerpt)：

真空排気されるソース室(1)と,該ソース室(1)内に原料ガスをノズル(7a)から噴出して拡散分子流(10)を形成するための該ノズル(7a)が開設されたガス筒(7)と,該拡散分子流(10)の一部を通過させるピンホール(6a)が設けられたスキマー(6)と,該ピンホール(6a)を通過した該拡散分子流(10)からなる分子線(11)を真空装置(3)に導入するために該ソース室(1)よりも高真空に保持される差圧室(2)と,該ソース室(1)と該差圧室(2)との間に設けられ該スキマー(6)を持着する差圧真空隔壁(4)とを有してなる分子線発生装置において,該差圧真空隔壁(4)の該差圧室(2)側の壁面に密着して冷媒槽(12)を付設し,該差圧真空隔壁(4)及び該スキマー(6)を該冷媒槽(12)からの熱伝導により冷却することを特徴とする分子線発生装置。

IPC (3)：

H05H 3/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/268