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J-GLOBAL ID：200903063397283299

電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデル

Inventor： 廣瀬 達哉
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994195586
Publication number (International publication number)：1996063505
Application date： Aug. 19, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデルに関し、線形領域と飽和領域との境界部分が実際の電界効果トランジスタの特性に精度良く近似し、ゲート電圧の増大によるドレイン電流の飽和を表現できることを目的とする。【構成】 電界効果トランジスタのドレイン電圧・ドレイン電流特性を表現する関数として、第1の双曲線正接関数と、ドレイン電圧と、第2の双曲線正接関数を底とする指数関数との積を含む第1の関数を有する。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタのドレイン電圧・ドレイン電流特性を関数で表現して回路シミュレーションを行う電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデルにおいて、上記ドレイン電圧・ドレイン電流特性を表現する関数として、第1の双曲線正接関数と、ドレイン電圧と、第2の双曲線正接関数を底とする指数関数との積を含む第1の関数を有することを特徴とする電界効果トランジスタの回路シミュレーション用モデル。

IPC (3)：

G06F 17/50 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (2)：

G06F 15/60 662 A ,  H01L 29/78 301 Z