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J-GLOBAL ID：200903063399790643

シクロデキストリン誘導体およびその製造方法、ロタキサンおよびその製造方法、並びに屈折率変換材料および光-熱変換蓄積材料

Inventor： 西久保 忠臣 ,  工藤 宏人
Applicant, Patent owner： JSR株式会社 ,  学校法人神奈川大学
Agent (1)： 大井 正彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004115330
Publication number (International publication number)：2005298631
Application date： Apr. 09, 2004
Publication date： Oct. 27, 2005
Summary：

【課題】 光照射によって屈折率が変化し、その変化量が大きく、成膜が容易なシクロデキストリン誘導体およびその製造方法、このシクロデキストリン誘導体を環状分子として有するロタキサンおよびその製造方法、並びにこれらの化合物からなる屈折率変換材料および熱エネルギー変換蓄積材料を提供する。【解決手段】 本発明のシクロデキストリン誘導体は、一般式(1)で表されるシクロデキストリン誘導体であって、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率が60%以上である。【化1】〔但し、R1 〜R3 は、水素原子または式(a)の基、mは6〜9の整数である。〕【化2】【選択図】 なし

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるシクロデキストリン誘導体であって、シクロデキストリンにおける全水酸基に対するエーテル化率が60%以上であることを特徴とするシクロデキストリン誘導体。

IPC (3)：

C08B37/16 ,  C08K5/1545 ,  C08L101/06

FI (3)：

C08B37/16 ,  C08K5/1545 ,  C08L101/06

F-Term (14)：

4C090AA02 ,  4C090AA03 ,  4C090AA05 ,  4C090AA08 ,  4C090BA10 ,  4C090BB12 ,  4C090BB53 ,  4C090BB76 ,  4C090BB92 ,  4C090DA31 ,  4J002CH051 ,  4J002EL086 ,  4J002GP00 ,  4J002GT00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• カリックスアレーン誘導体およびその製造方法、シクロデキストリン誘導体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光-熱エネルギー変換蓄積材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-114628   Applicant：学校法人神奈川大学, JSR株式会社

Cited by examiner (1)

• カリックスアレーン誘導体およびその製造方法、シクロデキストリン誘導体およびその製造方法並びに屈折率変換材料および光-熱エネルギー変換蓄積材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-114628   Applicant：学校法人神奈川大学, JSR株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 機能材料, 2000, Vol.20,No.12, 19-27