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J-GLOBAL ID：200903063402491806

薄膜コンデンサー及び薄膜コンデンサー内蔵基板

Inventor： 反町 東夫
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225417
Publication number (International publication number)：1996088318
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、薄膜コンデンサーに係り、基板を高融点金属製にすることによってインピーダンスを低減してデカップリングコンデンサーとして使用し、高速性を要求される電子部品の特性変動を抑えて、電子部品の信頼性を高めることを目的とする。【構成】 Moからなる金属基板12と、Ptからなる酸化防止膜16とから成る第1の電極17と、第1の電極17に対向するように配設されるCr電極14、Cu電極15からなる第2の電極18と、電極間に誘電体13となるSTO膜を介装する構成とした。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に設けられた第1の電極と、該第1の電極に対向するように配設される第2の電極と、該電極間に介装された誘電体とよりなり、該基板を導電性部材により形成し、該基板を該第1の電極の一部として使用することを特徴とする薄膜コンデンサー。

IPC (5)：

H01L 27/01 311 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 ,  H05K 1/16 ,  H05K 3/46

FI (2)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/12