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J-GLOBAL ID：200903063413102780

信号レベル変換回路および信号レベル変換回路を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置

Inventor：
山野 敦浩

About 山野 敦浩

, 
南野 裕

About 南野 裕


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 大前 要
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999262254
Publication number (International publication number)：2001085988
Application date： Sep. 16, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電源電圧の異なる単結晶シリコンによるMOSFET集積回路と多結晶シリコンによるTFT集積回路のインターフェイス回路において、薄膜トランジスタのしきい値がばらついても、MOSFET集積回路の低振幅信号をTFT集積回路の高振幅信号に変換する信号レベル変換回路を提供する。【解決手段】 差動入力部がPチャンネル型薄膜トランジスタ21,23で構成されたオペアンプ10の非反転入力端子20に、MOSFET集積回路11からの低振幅信号を入力し、反転入力端子22に比較電圧信号を入力することにより、オペアンプ10のコンパレータ動作を利用してレベル変換を行う。
Claim (excerpt)：
第1回路と、第1回路よりも電源電圧が大きい第2回路との間に設けられ、第1回路からの低振幅信号を入力して高振幅信号に変換する信号レベル変換手段を備え、この信号レベル変換手段からの高振幅信号を前記第2回路に出力する信号レベル変換回路において、前記信号レベル変換手段が一対のPチャネル型入力トランジスタで構成された演算増幅器からなり、この演算増幅器の非反転入力端子に、前記低振幅信号を入力し、演算増幅器の反転入力端子に、前記低振幅信号のハイレベルとローレベルの間の所定電圧レベルに設定された比較電圧が印加されるようにしたことを特徴とする信号レベル変換回路。
IPC (4)：
H03K 19/0185 ,  G02F 1/133 550 ,  G09G 3/20 612 ,  G09G 3/36
FI (4)：
H03K 19/00 101 B ,  G02F 1/133 550 ,  G09G 3/20 612 D ,  G09G 3/36
F-Term (37)：
2H093NA16 ,  2H093NC09 ,  2H093NC11 ,  2H093NC21 ,  2H093NC34 ,  2H093NC49 ,  2H093ND09 ,  2H093ND15 ,  5C006AF46 ,  5C006AF51 ,  5C006BB16 ,  5C006BF14 ,  5C006BF25 ,  5C006BF26 ,  5C006BF34 ,  5C006BF46 ,  5C006FA20 ,  5C080AA10 ,  5C080BB05 ,  5C080DD03 ,  5C080DD28 ,  5C080FF11 ,  5C080JJ02 ,  5C080JJ03 ,  5C080JJ04 ,  5J056AA00 ,  5J056AA32 ,  5J056BB37 ,  5J056CC01 ,  5J056CC02 ,  5J056CC10 ,  5J056CC21 ,  5J056DD13 ,  5J056DD28 ,  5J056FF06 ,  5J056FF09 ,  5J056KK01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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