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J-GLOBAL ID：200903063429340621

発光ダイオードチップとそのバンプ形成方法

Inventor： 為本 広昭
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999303853
Publication number (International publication number)：2001127348
Application date： Oct. 26, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】【課題】 実装基板に、傾きがなくかつ位置精度よくチップを載置でき、位置精度よくフリップチップボンディングすることができる発光ダイオードチップとそのバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、n型及びp型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたn側電極及びp側電極と、n側電極及びp側電極上にそれぞれ形成されたバンプとを備え、各バンプを、実装基板に対向する平面形状が一方向に長軸を有する形状であって、実装基板に載置された時に該実装基板に接するバンプの各稜線が実質的に直線でかつ互いに同一平面上に位置するように形成した。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、上記n型窒化物半導体層上及び上記p型窒化物半導体層上にそれぞれ形成されたn側電極及びp側電極と、該n側電極及びp側電極上にそれぞれ形成されたバンプとを備え、実装基板にフリップチップボンディングされるように構成された発光ダイオードチップにおいて、上記各バンプは、上記実装基板に対向する平面形状が一方向に長軸を有する形状であって、上記実装基板に載置された時に該実装基板に接する上記バンプの各稜線が実質的に直線でかつ互いに同一平面上に位置するように形成されていることを特徴とする発光ダイオードチップ。

FI (2)：

H01L 33/00 N ,  H01L 33/00 C

F-Term (9)：

5F041AA37 ,  5F041AA41 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20