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J-GLOBAL ID：200903063437838663

多結晶シリコン膜の作製方法

Inventor： 伊藤 政隆 ,  小島 義己 ,  藤原 正弘 ,  森田 達夫 ,  土本 修平
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991210795
Publication number (International publication number)：1993055140
Application date： Aug. 22, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 結晶粒径が大きい良質の多結晶シリコン膜を生産性良く作製する。【構成】 まず、プラズマCVD法により、シランを原料ガスとして温度450°C乃至550°Cでa-Si膜を作製する。続いて、上記a-Si膜を温度550°C乃至600°Cで熱処理して多結晶化させる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD法により、シランを原料ガスとして温度450°C乃至550°Cでアモルファスシリコン膜を作製する工程と、上記アモルファスシリコン膜を温度550°C乃至600°Cで熱処理して多結晶化させる工程を有することを特徴とする多結晶シリコン膜の作製方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/784