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J-GLOBAL ID：200903063441975225

半導体装置及び基板上の凹部の埋め込み方法

Inventor： 徳永 和彦
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992078348
Publication number (International publication number)：1994021208
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 各種の基板処理(イオン注入など)の処理を行った後、熱処理を行う場合についても、凹部近傍に欠陥が生じず、リーク電流が大きくなるなどの不都合の生じない半導体装置、及び基板の凹部の埋め込み方法を提供する。【構成】 ?@基板1上の凹部2に埋め込み材料を埋め込んで埋め込み部3,3a,3bを形成した半導体装置であって、該埋め込み部は凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、該突出部31の側部にはサイドウォール4を形成した構成の半導体装置。?A基板上の凹部に埋め込み材料を埋め込む工程を行った後、基板処理を行い、その後熱処理を施す工程を備える基板上の凹部の埋め込み方法において、埋め込み材料を凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、この突出部の側部に下地保護部4を形成し、その後基板処理を行う凹部の埋め込み方法。

Claim (excerpt)：

基板上の凹部に埋め込み材料を埋め込んで埋め込み部を形成した半導体装置であって、該埋め込み部は凹部の開口上面よりも突出する構成で形成し、該突出部の側部にはサイドウォールを形成した構成であることを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-101147
  
• 特開昭59-181062
  
• 特開平3-079033