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J-GLOBAL ID:200903063443226181
磁性薄膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
三澤 正義
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992178701
Publication number (International publication number):1994096949
Application date: Jul. 06, 1992
Publication date: Apr. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 低保磁力、高飽和磁束密度で高透磁率を有する磁性薄膜を、量産性に優れた湿式めっき法により実現する。【構成】 めっき法により成膜されたCoFe合金膜を昇温速度10°C/分未満、最高温度350°C以下で熱処理を行う磁性薄膜の製造方法。高い透磁率が容易に得られる。
Claim (excerpt):
CoおよびFeを主成分としためっき膜を10°C/分未満の昇温速度にて、350°C以下の真空または不活性雰囲気下加熱処理を行うことを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
IPC (3):
H01F 10/16
, G11B 5/31
, H01F 41/26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-099303
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特開平4-062806
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特開平1-109710
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