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J-GLOBAL ID：200903063459072770

金属CMPにおける研磨用組成物および研磨方法

Inventor： サチャン ヴァイカス ,  ケジェライス エリザベス ,  イー クリスティン ,  ピアース ケイス ジー. ,  ラック クレイグ ディー. ,  トーマス テレンス エム, ,  ブルケ ピーター エー. ,  ゲットマン デイヴィット ,  レーン サラー
Applicant, Patent owner： ロデール ホールディングス インコーポレイテッド
Agent (1)： 津国 肇 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000553521
Publication number (International publication number)：2002517593
Application date： Jun. 10, 1999
Publication date： Jun. 18, 2002
Summary：

【要約】【構成】この発明においては、金属層(タングステン、アルミニウム、銅等)、バリア層(タンタル、窒化タンタル、チタンまたは窒化チタン)及び絶縁層(二酸化ケイ基等) からなる合成半導体構造体を研磨するための組成物を提供している。この組成物は、水性媒体、研磨剤、酸化剤、重合度が少なくとも5であり、二酸化ケイ素表面に含まれる表面基に対して親和性を有する複数の官能基を有する酸化物薄層の除去を抑制する有機ポリマーからなる。この組成物は、適宜、錯化剤および/または分散剤を含有するものであってもよい。

Claim (excerpt)：

金属および絶縁体からなる基板の化学的-機械的研磨に有用な水性スラリーである組成物であって、水、サブミクロン研磨粒子、酸化剤、及び、酸化物薄膜の除去を抑制する有機ポリマーからなり、前記有機ポリマーは、重合度が少なくとも3であって、二酸化ケイ基表面に含まれる表面基に対して親和性を有する複数の官能基を有することを特徴とする組成物。

IPC (5)：

C09K 3/14 550 ,  B24B 1/00 ,  C09G 1/02 ,  C09G 1/04 ,  H05K 3/26

FI (5)：

C09K 3/14 550 J ,  B24B 1/00 ,  C09G 1/02 ,  C09G 1/04 ,  H05K 3/26 F

F-Term (7)：

3C049AA07 ,  3C049CA04 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  5E343AA22 ,  5E343EE33 ,  5E343FF23