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J-GLOBAL ID：200903063464343404

p型半導体層用電極

Inventor： 鈴木 譲
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998184659
Publication number (International publication number)：2000021811
Application date： Jun. 30, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高温下においても、III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層との間で優れたオーミック接触をし、また前記p型層との密着性も優れ、更にはAuリード線との接続時における接触抵抗も小さくなるp型半導体層用電極を提供する。【解決手段】 この電極3は、III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層2の上に、Pt層3a,Ni層3b,Au層3cをこの順序で積層して形成されている。

Claim (excerpt)：

III-V族窒化物系化合物半導体から成るp型層の上に形成され、Pt層とNi層とAu層とをこの順序で積層して成ることを特徴とするp型半導体層用電極。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  C23C 14/14

FI (3)：

H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 R ,  C23C 14/14 G

F-Term (15)：

4K029AA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA12 ,  4K029BA13 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA01 ,  4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104FF13 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15