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J-GLOBAL ID：200903063466768100
光起電力装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991173911
Publication number (International publication number)：1993021822
Application date： Jul. 15, 1991
Publication date： Jan. 29, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体膜に被着形成され金属膜をエネルギービームによって除去する場合において、その金属膜が残留しないような光起電力装置の製造方法を提供することにある。【構成】 半導体膜(3)に被着形成される金属膜を、低融点の金属膜(4a)と高融点の金属膜(4b)との積層体(4)とし、その半導体膜(3)側からエネルギービームを照射することによって、半導体膜(3)を溶融しこの積層体(4)とともに除去する。
Claim (excerpt)：
透光性絶縁基板の一主面上に半導体膜を形成する工程と、該半導体膜上に融点の異なる2種以上の金属膜の積層構造からなる積層体を該積層体の最表面の前記金属膜が該金属膜に被着形成されている他の金属膜よりも高融点となるように重畳形成する工程と、前記半導体膜に前記透光性絶縁基板の他主面側からエネルギービームを照射することにより該半導体膜を溶融し前記積層体とともに除去する工程、とからなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 31/04
, H01L 21/268
, H01L 21/302
