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J-GLOBAL ID：200903063468870140
光CVD法利用絶縁膜の製造方法と平坦化絶縁膜の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
佐藤 隆久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278189
Publication number (International publication number)：1994104181
Application date： Sep. 22, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 パーティクルの発生が少なく、しかも基板に対するダメージが少なく、アスペクト比が大きい段差や溝を良好に埋め込むことが可能であり、平坦性に優れた絶縁膜を提供すること。【構成】 光CVD法により、窒化シリコン膜30を形成し、その窒化シリコン膜30を酸化することにより、酸化シリコン膜32で構成される絶縁膜を製造する。窒化シリコン膜30が形成される半導体基板8は、CVD時において、200°C以下、好ましくは150°C以下、さらに好ましくは100°C程度の温度で加熱する。光CVD法に用いる光源としては、低圧水銀ランプ、ArFエキシマレーザなどが用いられる。光源からの光の照射方式は、基板上に直接光を当てる垂直照射方式でも、基板に対して水平方向に光を入射させる水平照射式でも良い。
Claim (excerpt)：
光CVD法により、シリコン系薄膜を形成し、そのシリコン系薄膜を酸化することにより、酸化シリコン膜で構成される絶縁膜を製造することを特徴とする光CVD法利用絶縁膜の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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