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J-GLOBAL ID：200903063469996341

膜電極集成体

Inventor： デビ,マーク ケー. ,  ポイリアー,リチャード ジェイ. ,  ワッカーフス,マイケル ジェイ. ,  ジーグラー,レイモンド ジェイ.
Applicant, Patent owner： ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000516389
Publication number (International publication number)：2001520444
Application date： Apr. 29, 1998
Publication date： Oct. 30, 2001
Summary：

【要約】イオン伝導性膜と、ナノ構造素子を含む1つまたは複数の電極層とから成り、前記ナノ構造素子が前記イオン伝導性膜と不完全に接触する膜電極集成体を提供する。本発明は、本発明の前記膜電極集成体を製造する方法をさらに提供する。本発明の膜電極集成体は、陽子交換膜燃料セル、電界槽、クロル-アルカリ分離膜などの電気化学装置に使用するのに適する。

Claim (excerpt)：

a)電解質を含む膜層と、b)ナノ構造素子を備え、該素子の体積の0%を越えて99%未満が前記膜層中に埋め込まれる少なくとも1つの電極層とを備える膜電極集成体。

IPC (7)：

H01M 4/86 ,  C25B 9/00 ,  C25B 11/04 ,  G01N 27/28 ,  G01N 27/28 331 ,  H01M 4/88 ,  H01M 8/10

FI (8)：

H01M 4/86 M ,  H01M 4/86 H ,  C25B 11/04 A ,  G01N 27/28 Z ,  G01N 27/28 331 D ,  H01M 4/88 C ,  H01M 8/10 ,  C25B 9/00 E

F-Term (24)：

4K011BA03 ,  4K011BA04 ,  4K011BA07 ,  4K011DA03 ,  4K021AA03 ,  4K021AB01 ,  4K021DB43 ,  5H018AA06 ,  5H018AS02 ,  5H018AS03 ,  5H018BB03 ,  5H018BB05 ,  5H018BB16 ,  5H018EE18 ,  5H018HH03 ,  5H018HH05 ,  5H026AA06 ,  5H026BB02 ,  5H026BB03 ,  5H026BB10 ,  5H026CX05 ,  5H026EE19 ,  5H026HH03 ,  5H026HH05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電解質膜と電極との接合体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197603   Applicant：株式会社豊田中央研究所
• 特開昭62-196389
  
• ナノ構造電極メンブレン
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平6-515191   Applicant：ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー