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J-GLOBAL ID：200903063470925253

統計モデルパラメータ抽出方法および装置

Inventor： 見山 美可子 ,  蒲原 史朗 ,  那倉 康一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000106695
Publication number (International publication number)：2001291778
Application date： Apr. 04, 2000
Publication date： Oct. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOSの飽和電流としきい値の測定データから、高速にかつ精度よくBSIM3のモデルパラメータを抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供する。【解決手段】 回路シミュレーションを行うときに使用するMOSデバイスのモデルパラメータの値を抽出する方法において、特定の1つのデバイスのVds-Ids,Vgs-Ids特性から抽出したモデルパラメータをベースとして、それ以外のMOSについては飽和電流としきい値のみの測定データからMOSの酸化膜厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャネル長、チャネル幅を表すプロセスに関連した統計モデルパラメータを抽出する。

Claim (excerpt)：

複数のMOSFETのデバイス特性測定データから回路シミュレーション用のMOSFETモデルのパラメータ値を抽出するモデルパラメータ抽出方法において、1つのMOSFETのVds-Ids,Vgs-Ids特性から抽出したモデルパラメータセットをベースとして、飽和電流としきい値から統計モデルパラメータ値を抽出することを特徴とするモデルパラメータ抽出方法。

IPC (6)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  G06F 17/50 662 ,  H01L 29/00 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

G06F 17/50 662 G ,  H01L 29/00 ,  H01L 27/08 102 Z ,  H01L 29/78 301 Z

F-Term (9)：

5B046AA08 ,  5B046JA04 ,  5F040DA00 ,  5F040DA30 ,  5F040EA00 ,  5F048AB10 ,  5F048AC03 ,  5F048BB14 ,  5F048BD04