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J-GLOBAL ID：200903063471528983

半導体装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Inventor： 島田 浩行 ,  石原 良一 ,  チェン タオ
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008129544
Publication number (International publication number)：2009277983
Application date： May. 16, 2008
Publication date： Nov. 26, 2009
Summary：

【課題】結晶面方位が一定であり、相対的に高密度に集積が可能であり、かつ、比較的簡単なプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法(MILC法)において、半導体層の一定形状を有する領域(114)に金属原子を導入する工程を備えることにより、半導体層に応力を生じさせ応力により半導体層の結晶面方位を制御するものである。この一定形状は、熱処理時に半導体層に応力を生じさせることが可能な角部(P)を有することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層に金属原子を導入して熱処理をすることにより該半導体層の結晶配向を制御する半導体装置の製造方法において、 該半導体層の一定形状を有する領域に該金属原子を導入する工程を備えることにより、該半導体層に応力を生じさせ該応力により該半導体層の結晶面方位を制御するものであり、 該一定形状は、該熱処理時に該半導体層に応力を生じさせることが可能な角部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L21/20 ,  H01L29/78 627G ,  H01L29/78 620

F-Term (63)：

5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP23 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ11 ,  5F152AA07 ,  5F152BB01 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE05 ,  5F152CE13 ,  5F152CE16 ,  5F152CE25 ,  5F152CF13 ,  5F152CF18 ,  5F152CF22 ,  5F152CF23 ,  5F152CF24 ,  5F152CF25 ,  5F152EE13 ,  5F152FF03 ,  5F152FF21 ,  5F152FF36 ,  5F152FG18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329760   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所