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J-GLOBAL ID：200903063475794017

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

Inventor： 野津 哲郎 ,  飯塚 紀夫 ,  小林 虎吉 ,  赤木 順子 ,  小原 正生
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992106763
Publication number (International publication number)：1993299433
Application date： Apr. 24, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 オン電圧変動の少ない高信頼性ヘテロ接合バイポーラトランジスタを提供すること。【構成】 半絶縁性GaAs基板上10に、n+ 型GaAsコレクタコンタクト領域11,n型GaAsコレクタ領域12,p型GaAsベース領域13,n型AlGaAsエミッタ領域14及びn+ 型InGaAsエミッタコンタクト領域15を順次形成し、ベース領域13とエミッタ領域14でヘテロ接合を形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域14をドライエッチング法によりメサ型に形成し、該メサの周辺部外側にB+ イオン注入による高抵抗化領域16,17を形成し、ベース・エミッタ接合とイオン注入領域とを接触させないことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1導電型のコレクタ領域,第2導電型のベース領域及び第1導電型のエミッタ領域を順次形成し、ベース領域とエミッタ領域でヘテロ接合を形成したヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記エミッタ領域はメサ型に形成され、該メサの周辺部外側にメサ型部分に入れることなくイオン注入法による高抵抗化領域が形成されてなることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-283624
  
• 特開昭63-017555
  
• 特開昭63-202963
  
• 特開昭62-264665