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J-GLOBAL ID：200903063481392249

ZnO系焼結体の製造方法

Inventor： 高梨 昌二
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998110362
Publication number (International publication number)：1999302835
Application date： Apr. 21, 1998
Publication date： Nov. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 透過率が高くて抵抗値が近く、DCスパッタリング中の異常放電の発生が長期的に少なく、特性の優れた膜を効率よく成膜するとともに、生産性に優れ安価であるスパッタリングターゲット用ZnO系焼結体の製造方法を提供する。【解決手段】 ZnO粉末とB2O3粉末を所望の組成に配合し、1300°C以下の温度で仮焼して得た平均一次粒子径が5μm以下の複合化粉末を原料粉末の少なくとも一部として焼結を行う。

Claim (excerpt)：

ZnO粉末とB2O3粉末を所望の組成に配合し、1300°C以下の温度で仮焼して得た平均一次粒子径が5μm以下の複合化粉末を原料粉末の少なくとも一部として焼結を行うことを特徴とするZnO系焼結体の製造方法。

IPC (4)：

C23C 14/34 ,  C01G 9/02 ,  C04B 35/453 ,  C23C 14/08

FI (4)：

C23C 14/34 A ,  C01G 9/02 A ,  C23C 14/08 C ,  C04B 35/00 P