Pat
J-GLOBAL ID：200903063486843648

処理装置及び方法

Inventor：
鈴木 伸昌

About 鈴木 伸昌


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003374824
Publication number (International publication number)：2005142234
Application date： Nov. 04, 2003
Publication date： Jun. 02, 2005
Summary：
【課題】 極薄膜形成時の膜厚制御性を向上する処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 被処理基体にプラズマ処理を施す処理装置であって、前記被処理基体を収納してプラズマを発生する処理室と、当該処理室にガスを導入する手段とを有し、更に、前記プラズマの発生領域よりも前記ガスの上流に前記被処理基体を配置する手段、前記プラズマの発生領域と前記被処理基体との間に配置された排気手段、又は、前記被処理基体上の活性種濃度は1E9乃至1E11cm-3に維持する手段を有することを特徴とする処理装置を提供する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基体にプラズマ処理を施す処理装置であって、 前記被処理基体を収納してプラズマを発生する処理室と、 当該処理室にガスを導入する手段と、 前記プラズマの発生領域よりも前記ガスの上流に前記被処理基体を配置する手段とを有することを特徴とする処理装置。
IPC (4)：
H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46
FI (4)：
H01L21/31 C ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H05H1/46 B
F-Term (22)：
4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030EA12 ,  4K030FA01 ,  4K030HA01 ,  4K030JA16 ,  5F045AA04 ,  5F045AA09 ,  5F045AA20 ,  5F045AB31 ,  5F045AB34 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045DP05 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EE20 ,  5F045EG02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 特開平3-1531号公報
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM