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J-GLOBAL ID：200903063493783448
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992300527
Publication number (International publication number)：1994125113
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：
【要約】【目的】GaN系の化合物半導体の発光ダイオードにおける電流集中を防止して発光寿命を長期化すること。【構成】高キャリア濃度n+ 層3、低キャリア濃度n層4、i層5、高キャリア濃度n+ 層3に対する電極80と、i層5に対する電極70とを有する。i層5に対する電極70とi層5との間に薄い絶縁膜6を設けた。絶縁膜6は電子がトンネルできる程の厚さである。この絶縁膜6により面上一様に電流がi層5に注入される。よって、i層5における電流集中が防止される結果、絶縁破壊が防止され、発光寿命が長期化する。
Claim (excerpt)：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の表面に薄い絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に前記i層に対する電極を形成したことを特徴とする発光素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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