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J-GLOBAL ID：200903063493783448

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 田牧 真人 ,  加藤 久喜 ,  小滝 正宏 ,  真部 勝英 ,  田嶋 一郎 ,  中嶋 健次
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992300527
Publication number (International publication number)：1994125113
Application date： Oct. 12, 1992
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】GaN系の化合物半導体の発光ダイオードにおける電流集中を防止して発光寿命を長期化すること。【構成】高キャリア濃度n+ 層3、低キャリア濃度n層4、i層5、高キャリア濃度n+ 層3に対する電極80と、i層5に対する電極70とを有する。i層5に対する電極70とi層5との間に薄い絶縁膜6を設けた。絶縁膜6は電子がトンネルできる程の厚さである。この絶縁膜6により面上一様に電流がi層5に注入される。よって、i層5における電流集中が防止される結果、絶縁破壊が防止され、発光寿命が長期化する。

Claim (excerpt)：

n型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るn層と、p型不純物を添加したi型の窒化ガリウム系化合物半導体(AlXGa1-XN;X=0を含む)から成るi層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記i層の表面に薄い絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上に前記i層に対する電極を形成したことを特徴とする発光素子。