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J-GLOBAL ID：200903063493787915

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ

Inventor： 松ケ谷 和沖 ,  田口 隆志 ,  上野 祥樹
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 碓氷 裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993255582
Publication number (International publication number)：1995111327
Application date： Oct. 13, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 相互コンダクタンスを高め、高周波・高速作動に適する素子を作成するために、ソース抵抗を効率よく低減できる構造のヘテロ接合型電界効果トランジスタを得る。【構成】 半絶縁性InP基板101上にノンドープIn0.52Al0.48Asバッファ層102、ノンドープIn0.80Ga0.20Asチャネル層103、ノンドープIn0.52Al0.48Asスペーサ層104、n型In0.52Al0.48Asドープ層105、ノンドープIn0.52Al0.48Asゲートコンタクト層106、ノンドープIn0.80Ga0.20As抵抗低減層107、n型In0.53Ga0.47Asキャップ層108を順次形成して形成したヘテロ接合型電界効果トランジスタにおいて、ゲートコンタクト層106とキャップ層108の間にノンドープIn0.80Ga0.20As抵抗低減層107を挿入した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成され、前記半導体基板よりも大きな電子親和力を有し、多数キャリアを走行させるチャネル層と、前記チャネル層上に形成され、前記チャネル層よりも小さな電子親和力を有して電子を供給する第1電導型で高不純物濃度のドープ層と、前記ドープ層上に形成され、前記ドープ層とほぼ等しい電子親和力を有するゲートコンタクト層と、前記ゲートコンタクト層上に形成され、前記ゲートコンタクト層よりも大きな電子親和力を有する、不純物を添加しない抵抗低減層と、前記抵抗低減層上に形成され、前記抵抗低減層よりも小さな電子親和力を有して多数キャリアを供給する第1電導型で高不純物濃度のキャップ層と、前記ゲートコンタクト層上に形成され、前記ゲートコンタクト層の酸化を防止する第1電導型で高不純物濃度のキャップ層と、前記キャップ層上に形成され、前記キャップ層とオーミック接合する電極と、前記キャップ層とオーミック接合する二つの電極の間に、前記キャップ層側から前記ゲートコンタクト層に達する溝を設け、露出した前記ゲートコンタクト層表面に形成された、前記ゲートコンタクト層とショットキー接合をする電極とを備えることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-191535
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-328654   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-138399   Applicant：三菱電機株式会社
• 特開平3-191535