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J-GLOBAL ID：200903063508634541

薄膜の作成方法

Inventor： 迫野 郁夫 ,  藤田 達也 ,  佐藤 崇 ,  日比野 吉高 ,  占部 大三
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991167275
Publication number (International publication number)：1993009723
Application date： Jul. 08, 1991
Publication date： Jan. 19, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ガラス基板上での薄膜の形成において、膜の厚みの方向への膜質の均一化を達成し、形成された薄膜の還元等による膜質の変化を防止する。【構成】 ガラス基板4をマグネトロン放電を生じさせたタ-ゲット3上を移動させることによって膜付着を行うスパッタ成膜において、タ-ゲット3のエロ-ジョン部2と基板1の間にシ-ルド板3を設置して行うことを特徴とする薄膜の作製方法。

Claim (excerpt)：

(1)ガラス等の基板をマグネトロン放電を生じさせたタ-ゲット上を移動させることによって膜付着を行うスパッタ成膜において、タ-ゲットのエロ-ジョン部と基板の間にシ-ルド板を設置して行うことを特徴とする薄膜の作製方法。

IPC (2)：

C23C 14/35 ,  C03C 17/245