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J-GLOBAL ID：200903063540355760

半導体装置の製造方法

Inventor： 武藤 正樹 ,  守時 克典
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993138229
Publication number (International publication number)：1994349892
Application date： Jun. 10, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高密度で狭間隔な電極を有する半導体素子と半導体装置回路基板上の導体パターンとの接続を均一・安定に行なう半導体装置の製造方法の提供。【構成】 複数の半田で被覆された接続端子部8を備えた導体パターン7がある半導体装置回路基板6上に、前記複数の半田で被覆された接続端子部8に対応する複数の電極部4を表面に有する一つ以上の半導体素子基板2を、前記複数の半田で被覆された接続端子部8と前記複数の電極部4とが対向接触するように載置し、上に向いた前記半導体素子基板2の裏面に、加圧・加熱ツール7を当接し、加圧・加熱ツール7の加圧と加熱とを、前記半導体素子基板2を介して前記半田に加え、前記半田を融解して半田付けする。

Claim (excerpt)：

複数の半田で被覆された接続端子部を備えた導体パターンがある半導体装置回路基板上に、前記複数の半田で被覆された接続端子部に対応する複数の電極部を表面に有する一つ以上の半導体素子基板を、前記複数の半田で被覆された接続端子部と前記複数の電極部とが対向接触するように載置し、上に向いた前記半導体素子基板の裏面に、加圧・加熱ツールを当接し、加圧・加熱ツールの加圧と加熱とを、前記半導体素子基板を介して前記半田に加え、前記半田を融解して半田付けすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/321 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-280961
  
• 特開平4-338657
  
• 特開平4-171949
  
• 特開昭62-101040