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J-GLOBAL ID：200903063541265209
炭化珪素膜の作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087664
Publication number (International publication number)：1994135711
Application date： Mar. 10, 1992
Publication date： May. 17, 1994
Summary：
【要約】【目的】 常圧において低温度に保たれた基体表面に炭化珪素膜を作製する方法に関するものである。【構成】 常圧においてハロゲン化珪素、ハロゲン化炭素および水素からなる原料ガスを加熱し、生じた活性種によって炭化珪素膜を作製する方法において、ハロゲン化炭素を分子構造に偏りがあり、電荷分布が偏っている材料とすることにより、低温度において炭化珪素薄膜を作製する。この際、基板温度または基板付近の雰囲気温度を原料ガスの分解温度より低い温度である140°C〜250°Cとする。
Claim (excerpt)：
珪素を含む材料と炭素を含む材料とから常圧気相中での化学反応により炭化珪素膜を作製する方法であって、珪素を含む材料はハロゲン化合物であり、炭素を含む材料はハロゲン化合物であるとともにダイポールモーメントを有する分子構造をもち、常圧気相中での化学反応により炭化珪素膜を作製する際に、800°C〜1100°Cの温度で前記材料を有する反応性ガスを活性化し、該活性化した反応性ガスを該反応ガスの温度が140°C〜250°Cの温度となる空間に導き、該空間に設置された基体上に炭化珪素膜を形成することを特徴とする炭化珪素膜の作製方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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