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J-GLOBAL ID：200903063545979095

パターン形成方法

Inventor： 和泉 和之
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992024231
Publication number (International publication number)：1993226808
Application date： Feb. 12, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 薄膜導体金属を有する回路基板のパターン形成方法において用いる,サイドエッチングのより少ない銅のエッチング液を提供する。【構成】 主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において,銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸-過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うように,また,エッチング液の重量比率が,硫酸10%±1%に対し過酸化水素水1%±0.1%であるように構成する。

Claim (excerpt)：

主導体金属として銅を用いた薄膜導体を有する回路基板のパターン形成方法において,銅の酸化速度が酸化銅の溶解速度に対して十分遅くなるような組成の硫酸-過酸化水素水からなるエッチング液により銅のエッチングを行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2)：

H05K 3/06 ,  H01L 21/308