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J-GLOBAL ID：200903063545982720

レジストパターンの形成方法

Inventor： 寒川 恒一
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997138254
Publication number (International publication number)：1998333335
Application date： May. 28, 1997
Publication date： Dec. 18, 1998
Summary：

【要約】【課題】 化学増幅型レジストを用いたレジストパターン形成のコストを低減させ、且つ形状の不安定も改善することを目的とする。【解決手段】 この発明は、化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって、シリコンウェハ1上に化学増幅型ポジ型レジスト21を形成し、このポジ型レジスト21上に化学増幅型ネガ型レジスト22を形成する。露光後、ネガ型レジスト22を現像した状態でレジスト表面をアルカリ成分で処理した後、ポジ型レジスト21を現像する。

Claim (excerpt)：

化学増幅型レジストを用いたレジストパターンの形成方法であって、ウェハ上に化学増幅型ポジ型レジストを形成し、このポジ型レジスト上に化学増幅型ネガ型レジストを形成し、露光後ネガ型レジストを現像した状態でレジスト表面をアルカリ成分で処理した後、ポジ型レジストを現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/095 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 573