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J-GLOBAL ID：200903063547505341
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991193129
Publication number (International publication number)：1993036713
Application date： Aug. 01, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ島領域形成工程の不安定性を改善し、HBTの歩留まり向上と性能向上を図る。【構成】 p型GaAsベース層4上に薄層のN型InxGa1-xPエミッタ層5とN型AlyGa1-yAsエミッタ層6を形成し、選択エッチングによりN型AlyGa1-yAsエミッタ層6のエミッタ島領域を形成後、エミッタ島領域側面に絶縁膜103の側壁を形成する。次にN型InxGa1ーxPの選択エッチングを行って真性ベース領域の周辺近傍のベース層が、空乏化したN型InxGa1ーxPで覆われた構造を形成し、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下の少ない高性能なHBTを高い歩留まりで製造する。
Claim (excerpt)：
n型GaAsのコレクタ層上にp型GaAsのベース層が設けられ、前記ベース層上にN型の薄いInxGa1-xPとN型のAlyGa1ーyAsが順次形成されて成るエミッタ層が設けられた構造を少なくとも含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
