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J-GLOBAL ID：200903063550976576

レーザアブレーション加工法および多層配線構造体の製造法

Inventor： 山岸 康男 ,  清水 香苗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992191866
Publication number (International publication number)：1994031478
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 レーザアブレーション加工法とこの加工法を用いた多層配線構造体の製造方法に関し、レーザアブレーション加工による煤の発生を抑制する。【構成】 レーザ光22を照射することにより有機物材料膜13を局部的に分解除去するレーザアブレーション加工法において、この被加工有機物材料膜13の表面近傍を大気から遮断し、この遮断された領域内を水素ガス雰囲気にして被加工有機物材料13が分解して生じるプラズマを冷却することによって煤が生成されるのを抑制する。この際、被加工有機物材料の表面近傍を大気から遮断する構造物の少なくとも一部を、透明基板上に誘電体多層膜ミラーを選択的に形成した誘電体ミラーマスク16によって構成する。また、このレーザアブレーション加工法によって多層配線構造体の層間絶縁膜に層間接続用ビア穴を形成する。

Claim (excerpt)：

レーザ光を照射することにより有機物材料を局部的に分解除去するレーザアブレーション加工法において、該加工有機物材料の表面近傍を大気から遮断し、該遮断された領域内を水素ガス雰囲気とすることを特徴とするレーザアブレーション加工法。

IPC (2)：

B23K 26/12 ,  H05K 3/46