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J-GLOBAL ID:200903063563755625

中空シリカ粒子及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (4): 大谷 保 ,  東平 正道 ,  片岡 誠 ,  平澤 賢一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2008047242
Publication number (International publication number):2009203115
Application date: Feb. 28, 2008
Publication date: Sep. 10, 2009
Summary:
【課題】平均粒子径及び比表面積が小さい中空シリカ粒子、並びにその製造方法を提供する。【解決手段】(1)平均粒子径が0.1〜1μmで、粒子全体の80%以上が平均粒子径±30%以内の粒子径を有し、かつBET比表面積が30m2/g未満である中空シリカ粒子、及び(2)粉末X線回折測定において、面間隔(d)が1〜12nmの範囲に相当する回折角(2θ)にピークを示す、粒子内部に空気を含有する中空シリカ粒子(A)、又は焼成により消失して中空部位を形成する材料を内包するコアシェル型シリカ粒子(B)を、950°Cを超える温度で焼成する、BET比表面積が30m2/g未満の中空シリカ粒子の製造方法である。【選択図】なし
Claim (excerpt):
平均粒子径が0.05〜1μmで、粒子全体の80%以上が平均粒子径±30%以内の粒子径を有し、かつBET比表面積が30m2/g未満である中空シリカ粒子。
IPC (4):
C01B 33/18 ,  C01B 33/152 ,  B01J 13/20 ,  B01J 13/04
FI (4):
C01B33/18 Z ,  C01B33/152 B ,  B01J13/02 K ,  B01J13/02 A
F-Term (34):
4G005AA04 ,  4G005AB01 ,  4G005BA12 ,  4G005BB06 ,  4G005BB24 ,  4G005DA05Z ,  4G005DA13W ,  4G005DC03W ,  4G005DC15W ,  4G005DC42W ,  4G005DC58Y ,  4G005DC61W ,  4G005DD07X ,  4G005DD13X ,  4G005EA06 ,  4G072AA25 ,  4G072BB07 ,  4G072BB16 ,  4G072BB20 ,  4G072HH28 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ22 ,  4G072JJ41 ,  4G072JJ47 ,  4G072MM01 ,  4G072MM22 ,  4G072MM31 ,  4G072MM36 ,  4G072PP17 ,  4G072TT01 ,  4G072TT06 ,  4G072UU07 ,  4G072UU30
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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