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J-GLOBAL ID：200903063584936310
半導体レーザ素子及びその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000284545
Publication number (International publication number)：2001274513
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 レーザビームの高出力化を図った際においても、レーザビームの水平広がり角度が小さくなることを抑制し、しかもレーザビームの水平広がり角度の調整が容易である半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 リッジ部の側面と前記リッジ部の下部との為す傾斜角度θが70°以上、117°以下であり、p型クラッド層10はAlX1Ga1-X1Asからなり、第1電流ブロック層14はAlX2Ga1-X2Asからなり、発光層と第1電流ブロック層14との離間距離をtとした場合、t≦0.275/(1-(X2-X1))となり、リッジ部の下部幅Wが2μm以上、5μm以下であることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に第1導電型のクラッド層、発光層、III族元素としてAlを含有する第2導電型のクラッド層が順に積層され、前記第2導電型のクラッド層にはリッジ部が形成され、前記第2導電型のクラッド層上の前記リッジ部の周りにIII族元素としてAlを含有する電流ブロック層が形成された半導体レーザ素子において、前記基板の上面に対する前記リッジ部の側面の傾斜角度θが70°以上、117°以下であり、前記第2導電型のクラッド層を構成するIII族元素中におけるAlの組成比をX1とし、前記電流ブロック層を構成するIII族元素中におけるAlの組成比をX2とし、前記発光層と前記電流ブロック層との離間距離をtした場合、t≦0.275/(1-(X2-X1))[μm]の関係を満たし、前記リッジ部の下部幅Wが2μm以上、5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
F-Term (9)：
5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA55
, 5F073AA74
, 5F073CA05
, 5F073CB02
, 5F073CB07
, 5F073DA24
, 5F073EA24
Cited by examiner (2)
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半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-007382
Applicant：シャープ株式会社
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半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-006949
Applicant：三洋電機株式会社
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