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J-GLOBAL ID：200903063590235633

薄膜気相成長装置

Inventor： 久保田 清
Applicant, Patent owner： 日新電機株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991334387
Publication number (International publication number)：1993144753
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 III-V化合物、II-VI化合物などの薄膜をMOCVD法で成長させる場合に2種類の原料ガスを用いる。これらの原料ガスは配管内で混合してから反応容器に入れるが十分均一に混合されない場合がある。不均一な組成の原料ガスを用いて薄膜形成をすると、膜の組成特性がばらついてしまう。これを解決すること。【構成】 反応容器のガス導入口に周縁に段部を持ち多数の貫通縦穴と、段部に通ずる多数の放射穴これに続く部分縦穴とを有する整流板を設ける。別異の原料ガスを整流板の上部と側周部に導き別異の穴から反応容器の内部に吹き出させる。穴の分布をほぼ等しくし、原料ガスの流入量の分布を等しくする。反応容器の内部で初めて原料ガスが混合される。

Claim (excerpt)：

上頂部から原料ガスを導入し下方から排出できるようにした縦型の反応炉と、反応炉の内部に設けられ基板を上向きに保持するサセプタと、反応炉の内部を真空に引くための真空排気装置と、サセプタ、基板を加熱するためのヒ-タと、反応炉上頂部の原料ガス導入口とを含み、2種類の異なる原料ガスを用いて薄膜成長を行う薄膜気相成長装置であって、平板状であって側周に段部があり面と直角方向に貫通する複数の貫通縦穴が穿たれ、中間高さにおいて段部外周から複数の放射穴が穿たれ放射穴から一方の面に続く複数の部分縦穴が穿たれている整流板が原料ガス導入口に設けられ、2種類の原料ガスは別々に前記の整流板に導かれ、一方の原料ガスは整流板の上面から貫通縦穴を通って反応炉に下向きに入り、他方の原料ガスは前記の整流板の側面から放射穴と部分縦穴を通って反応炉に下向きに入り整流板の直下で2種類の原料ガスが混合されるようにしたことを特徴とする薄膜気相成長装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 29/20 ,  H01L 29/22