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J-GLOBAL ID：200903063591043045

ダイオード素子の製造方法

Inventor： 田 尾 本 昭 ,  二 梃 木 克 洋 ,  南 部 太 郎
Applicant, Patent owner： 松下技研株式会社
Agent (1)： 蔵合 正博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991316710
Publication number (International publication number)：1993190877
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 有機半導体を利用した非対称構造を有し、動作が安定し、逆方向の耐電圧が高い高機能性ダイオード素子の製造方法を提供すること。【構成】 鉛フタロシアニン材料を、絶縁基板1の温度を最初は100°Cにして真空蒸着することにより、下部電極2側にトリクリニック型結晶5を形成し、次いで基板温度を室温に下げて真空蒸着することにより上部電極4側にモノクリニック型結晶6を形成し、厚さ方向に非対称構造をとる有機半導体薄膜3を絶縁基板1上に形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に鉛フタロシアニンを基板温度を変えて真空蒸着することにより、厚さ方向に非対象構造をとる有機半導体薄膜を有するダイオード素子の製造方法。