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J-GLOBAL ID：200903063623168597

混合イオン導電体および合成法

Inventor： 谷口 昇 ,  新倉 順二 ,  羽藤 一仁 ,  蒲生 孝治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991176700
Publication number (International publication number)：1993028820
Application date： Jul. 17, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、燃料電池、センサーなど電気化学デバイスに関するもので、特にプロトンもしくは酸化物イオン伝導する超イオン伝導体とその合成法を提供することを目的とする。【構成】 BaCe1-xGdxO3-α(0.23>x>0.16,1.5>α>0)で現される組成の酸化物あるいは多結晶焼結体。x=0.2の時図2に示す導電率性能を示す。焼結体の密度が、理論密度の96.5%以上であり、多結晶体の粒塊が、0.1μmから10μmの大きさで構成されている。その酸化物の合成において、最終焼成の前の粉末粒径を3μm以下に粉砕することと、脱水真空乾燥すること、更に、1635°Cから1665°Cの間の温度で焼成する。

Claim (excerpt)：

プロトンもしくは酸化物イオン伝導性を有するイオン伝導性酸化物であって、その酸化物がBaCe1-xGdxO3-α(1>x>0,1.5>α>0)で表される組成の酸化物であることを特徴とする混合イオン導電体。

IPC (6)：

H01B 1/06 ,  C01F 17/00 ,  C04B 35/00 ,  C04B 35/50 ,  C30B 29/22 ,  H01M 8/12