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J-GLOBAL ID：200903063630535597
光起電力素子及びその製造方法、並びに発電システム
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347460
Publication number (International publication number)：1994204517
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、光励起キャリアー再結合を防止し、開放電圧及び正孔のキャリアーレンジを向上した光起電力素子及びその製造方法、並びに発電システムを提供することを目的とする。【構成】 多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子において、前記i型層はシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より前記第2のp型層またはp型層の方向に片寄っていること特徴とする。
Claim (excerpt)：
多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるn型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のp型層、非単結晶半導体材料からなるn型層、非単結晶半導体材料からなるi型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のp型層が順次積層された光起電力素子、あるいは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなるp型基板上に、微結晶シリコンまたは多結晶シリコンまたは単結晶シリコンからなる第1のn型層、非単結晶半導体材料からなるp型層、非単結晶シリコン系材料からなるSi層、非単結晶半導体材料からなるi型層、及び非単結晶半導体材料からなる第2のn型層が順次積層された光起電力素子において、前記i型層はシリコン原子とゲルマニウム原子を含有し、層厚方向にバンドギャップがなめらかに変化し、バンドギャップの極小値の位置が層厚の中央の位置より前記第2のp型層またはp型層の方向に片寄っていること特徴とする光起電力素子。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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