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J-GLOBAL ID：200903063631672083

半導体装置の製造方法

Inventor： 島田 美代子 ,  松山 日出人 ,  中田 錬平 ,  蓮沼 正彦 ,  宮島 秀史 ,  奥村 勝弥 ,  早坂 伸夫
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001321448
Publication number (International publication number)：2002359239
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】誘電率が低く、かつ十分な機械的強度を有する絶縁膜を形成すること。【解決手段】半導体基板1上に層間絶縁膜3を構成する物質の前駆体または該物質を含む絶縁膜原料を塗布する。次に、反応容器内で半導体基板1を加熱しながら、絶縁膜原料に電子線を照射し、絶縁膜原料を硬化する。このとき、反応容器内の圧力、半導体基板1の温度、半導体基板1が曝露されるガス種、反応容器内に導入されるガスの流量、半導体基板1の位置、および半導体基板1に単位時間当たりに入射する電子の量のうちの少なくとも一つを変動させる。

Claim (excerpt)：

被処理基板を用意する工程と、前記被処理基板上に絶縁膜を形成する工程とを有し、前記絶縁膜を形成する工程は、前記被処理基板上に前記絶縁膜を構成する物質の前駆体もしくは該物質を含む絶縁膜原料を塗布する工程と、反応容器内で前記被処理基板を加熱しながら、前記絶縁膜原料に電子線を照射し、前記絶縁膜原料を硬化する工程であって、前記絶縁膜原料に前記電子線が照射されているときに、前記反応容器内の圧力、前記被処理基板の温度、前記被処理基板が曝露されるガス種、前記反応容器内に導入されるガスの流量、前記被処理基板の位置、および前記被処理基板に単位時間当たりに入射する電子の量のうちの少なくとも一つを変動させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (2)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 Q

F-Term (25)：

5F033HH11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033SS04 ,  5F033SS22 ,  5F033WW01 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX17 ,  5F033XX24 ,  5F058AA02 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02