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J-GLOBAL ID：200903063632865381

分布反射型半導体レーザアレイとその製造方法

Inventor： 向原 智一 ,  粕川 秋彦
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Agent (1)： 長門 侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996314452
Publication number (International publication number)：1998154845
Application date： Nov. 26, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低しきい値で消費電力が少なく、発振波長の多波長と波長可変を可能とする分布反射型半導体レーザアレイを提供する。【解決手段】 一対のクラッド層間に設けられた活性層を有する複数のレーザ領域の端面に、一対のクラッド層間に設けられた導波路層を有する半導体板を低屈折率層を介して配列された多層膜反射鏡をそれぞれ設ける。また導波路層でのバンドギャップエネルギEwgをレーザ領域の活性層のバンドギャップエネルギEacよりも大きくし(Eac < Ewg)、複数チャネルの導波路層のバンドギャップエネルギEwgを互いに異ならせる。更に導波路領域に電流注入用電極を設けて波長掃引を可能とする。

Claim (excerpt)：

一対のクラッド層間に設けられた活性層を有して並設された複数のレーザ領域と、一対のクラッド層間に設けられた導波路層を有する半導体板を低屈折率層を介して配列されて前記各レーザ領域の端面にそれぞれ設けられた多層膜反射鏡とを具備したことを特徴とする分布反射型半導体レーザアレイ。