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J-GLOBAL ID：200903063635227920

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 山田 元量 ,  中村 修二 ,  田中 政信
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993100215
Publication number (International publication number)：1994291368
Application date： Apr. 03, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体内部の光の多重反射により起こる干渉を抑えることにより、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】 サファイアのC面からのオフ基板に窒化ガリウム系化合物半導体を成長させるか、あるいは最上層の窒化ガリウム系化合物半導体をエッチング、または研磨することにより窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層されてなる発光素子において、前記窒化ガリウム系化合物半導体の最上層の表面が非鏡面とされていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特公昭51-023868
  
• 特開平3-163883
  
• 特開平4-354382
  
• 特開平4-042582