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J-GLOBAL ID:200903063640215345

圧電体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 恩田 博宣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993322813
Publication number (International publication number):1995172914
Application date: Dec. 21, 1993
Publication date: Jul. 11, 1995
Summary:
【要約】【目的】 圧電体の特性劣化を抑制して安定性を持たせる。【構成】 Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3 にSr,Nbを添加した組成を有するPZTセラミックスを準備し、そのPZTセラミックスの自発分極を電界印加により一定方向に揃える分極処理での90度スイッチングによる応力をエージング処理で除去し、PZTセラミックスを180度スイッチングのみの状態にする。このエージング処理方法としては、例えば、200〜250°Cで熱エージングを行う場合や、-40°Cから130°Cへの変化と130°Cから-40°Cへの変化をほぼ50サイクル繰り返し行う場合や、50MPaの圧縮応力をほぼ100回繰り返し印加する場合などがある。これらにより製造された圧電体を評価するために耐久試験を行った場合、耐久試験の前後で特性劣化が生じない。
Claim (excerpt):
Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3 にSr,Nbを添加したPZTセラミックスの自発分極を電界印加により一定方向に揃える分極処理での90度スイッチングによる応力をエージング処理で除去し、180度スイッチングのみの状態にすることを特徴とする圧電体の製造方法。
IPC (3):
C04B 35/49 ,  H01L 41/24 ,  G01H 11/08
FI (2):
C04B 35/49 F ,  H01L 41/22 A

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