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J-GLOBAL ID：200903063648923489

プラズマ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor： 小川 敏明 ,  宮武 浩
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992155849
Publication number (International publication number)：1993326456
Application date： May. 21, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 微細パターン底部でのノッチング発生を防止する。【構成】 反応室1内にX線源9を設け、ステージ3aによりウエハ2を回転させた状態でX線を照射しつつエッチングを行い、パターン側壁部から光電効果により放出された電子によりパターンに入射するイオンを中和する。

Claim (excerpt)：

反応室内において発生したプラズマガス中のイオンを用いてウエハをエッチングするプラズマ処理装置において、上記反応室内に、所定のエネルギーを有する光を照射する光源を設け、該光源から出射された光を試料台表面に配置されたウエハに照射しつつエッチングを行うようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。