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J-GLOBAL ID：200903063658557928

半導体装置の製造方法

Inventor： 池田 雅延
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998245742
Publication number (International publication number)：2000077409
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】ダマシン法により配線又はビアを形成する工程を有する半導体装置の製法に関し、有機絶縁膜に形成される開口形状を精度良く形成するとともに開口の側壁に形成されるメタルを従来よりも薄くすること。【解決手段】無機絶縁膜31の上又は下に有機絶縁膜32(30)を形成し、無機絶縁膜31に第一の開口31a を形成し、有機絶縁膜32に第二の開口32a を形成し、無機絶縁膜31の第一の開口31aと有機絶縁膜32の第二の開口32a に沿って金属膜37を形成し、次いで、無機絶縁膜31と有機絶縁膜32を所望の温度まで加熱した後にその加熱を停止して所定時間放置し、さらに、金属膜37にエッチングガスを供給して無機絶縁膜31と有機絶縁膜32の減衰温度の違いによって無機絶縁膜31の第一の開口31a に金属膜37を残したままで有機絶縁膜32の第二の開口32a から金属膜37をエッチングして選択的に除去する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上方において無機絶縁膜の上又は下に有機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜に第一の露出面を形成し、前記有機絶縁膜に第二の露出面を形成する工程と、前記無機絶縁膜の前記第一の露出面と前記有機絶縁膜の前記第二の露出面に沿って金属膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜を所望の温度まで加熱する工程と、前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜の加熱を停止して所定時間放置する工程と、前記金属膜にエッチングガスを供給して前記無機絶縁膜と前記有機絶縁膜の温度の減衰速度の違いによって前記無機絶縁膜の前記第一の露出面に前記金属膜を残したままで前記有機絶縁膜の前記第二の露出面から前記金属膜をエッチングして選択的に除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

F-Term (25)：

5F033AA04 ,  5F033AA13 ,  5F033AA28 ,  5F033AA29 ,  5F033AA63 ,  5F033AA64 ,  5F033AA66 ,  5F033AA73 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA37 ,  5F033BA41 ,  5F033DA04 ,  5F033DA06 ,  5F033DA08 ,  5F033DA34 ,  5F033DA36 ,  5F033DA38 ,  5F033EA03 ,  5F033EA05 ,  5F033EA25 ,  5F033EA28 ,  5F033EA29 ,  5F033EA32 ,  5F033FA03